近二十年來(lái)，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進(jìn)步在減小設(shè)備尺寸的同時(shí)，也加大了分立元件制造商開(kāi)發(fā)理想性能器件的壓力。在這些器件中，貼片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。隨著應(yīng)用的普及，片式電阻器具有越來(lái)越重要的作用。主要參數(shù)包括 ESD 保護(hù)、熱電動(dòng)勢(shì) (EMF)、電阻熱系數(shù) (TCR)、自熱性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。

 盡管升級(jí)每個(gè)組件或子系統(tǒng)可以提高整體性能，但整體性能仍是由組件鏈中的短板決定的。系統(tǒng)中的每個(gè)組件都具有關(guān)系到整體性能的內(nèi)在優(yōu)缺點(diǎn)，特別是短期和長(zhǎng)期穩(wěn)定性、頻響和噪聲等問(wèn)題。分立式電阻行業(yè)在線繞電阻、厚膜電阻、薄膜電阻和金屬箔電阻技術(shù)方面取得了進(jìn)步，而從單位性能成本考慮，每種電阻都有許多需要加以權(quán)衡的因素。

各種電阻技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)如表1所示，表中給出了熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力對(duì)電阻電氣特性的影響。

 

表1: 不同類(lèi)型電阻的特性

 

應(yīng)力（無(wú)論機(jī)械應(yīng)力還是熱應(yīng)力）會(huì)造成電阻電氣參數(shù)改變。當(dāng)形狀、長(zhǎng)度、幾何結(jié)構(gòu)、配置或模塊化結(jié)構(gòu)受機(jī)械或其他方面因素影響發(fā)生變化時(shí)，電氣參數(shù)也會(huì)發(fā)生變化，這種變化可用基本方程式來(lái)表示：R = ρ L/A，式中

 

R = 電阻值，以歐姆為單位，

ρ = 材料電阻率，以歐姆米為單位，

L = 電阻元件長(zhǎng)度，以米為單位，

A = 電阻元件截面積，以平方米為單位。

 

電流通過(guò)電阻元件時(shí)產(chǎn)生熱量，熱反應(yīng)會(huì)使器件的每種材料發(fā)生膨脹或收縮機(jī)械變化。環(huán)境溫度條件也會(huì)產(chǎn)生同樣的結(jié)果。因此，理想的電阻元件應(yīng)能夠根據(jù)這些自然現(xiàn)象進(jìn)行自我平衡，在電阻加工過(guò)程中保持物理一致性，使用過(guò)程中不必進(jìn)行熱效應(yīng)或應(yīng)力效應(yīng)補(bǔ)償，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。

 

薄膜電阻

 

薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為 50 Å 至 250 Å 的金屬沉積層組成 (采用真空或?yàn)R射工藝)。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或 Bulk Metal® 金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時(shí)，薄膜電阻更為經(jīng)濟(jì)并節(jié)省空間。

 

它們具有*佳溫度敏感沉積層厚度，但*佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴(yán)重限制了可能的電阻值范圍。因此，采用各種沉積層厚度可以實(shí)現(xiàn)不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過(guò)程因?qū)崿F(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整個(gè)電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機(jī)械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變*佳薄膜厚度還會(huì)嚴(yán)重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。

由于金屬量少，薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過(guò)程中，水蒸汽會(huì)帶入雜質(zhì)，產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕會(huì)在低壓直流應(yīng)用幾小時(shí)內(nèi)造成薄膜電阻開(kāi)路。改變*佳薄膜厚度會(huì)嚴(yán)重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。

厚膜電阻

 

如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度 (高阻值/小尺寸) 且成本更低，厚膜電阻得到廣泛使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術(shù)中，其噪聲較高。雖然精度低于其他技術(shù)，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù)，是由于其廣泛應(yīng)用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。

 

厚膜電阻依靠玻璃基體中粒子間的接觸形成電阻。這些觸點(diǎn)構(gòu)成完整電阻，但工作中的熱應(yīng)變會(huì)中斷接觸。由于大部分情況下并聯(lián)，厚膜電阻不會(huì)開(kāi)路，但阻值會(huì)隨著時(shí)間和溫度持續(xù)增加。因此，與其他電阻技術(shù)相比，厚膜電阻穩(wěn)定性差 (時(shí)間、溫度和功率)。

 

由于結(jié)構(gòu)中成串的電荷運(yùn)動(dòng)，粒狀結(jié)構(gòu)還會(huì)使厚膜電阻產(chǎn)生很高的噪聲。給定尺寸下，電阻值越高，金屬成份越少，噪聲越高，穩(wěn)定性越差。厚膜電阻結(jié)構(gòu)中的玻璃成分在電阻加工過(guò)程中形成玻璃相保護(hù)層，因此厚膜電阻的抗?jié)裥愿哂诒∧る娮琛?/p>
在貼片電阻的具體選型中，一個(gè)參數(shù)必須根據(jù)所有參數(shù)的經(jīng)濟(jì)性加以權(quán)衡。與采用全面優(yōu)異性能的電阻相比，這樣可以節(jié)省成本，因?yàn)椴恍枰{(diào)整電路 (及組裝相關(guān)組件的成本)。主要通過(guò)電阻而不是有源器件提高精度也可以節(jié)省成本，因?yàn)橛性雌骷晕⑻岣咭稽c(diǎn)性能所需的成本要比電阻高的多。

原作者 Yuval Hernik， 畢業(yè)于 Technion (以色列理工學(xué)院) 電子工程系。自2008年以來(lái)，一直擔(dān)任 Vishay Precision Group 大金屬箔電阻應(yīng)用工程部總監(jiān)。
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